MJE13005 org
۱۲۳,۲۱۱ تومان۱۰۷,۱۹۴ تومان
ترانزیستور MJE13005 (High‑Voltage NPN Power Transistor)
مشخصات فنی کلیدی:
- نوع ترانزیستور: BJT قدرت نوع NPN
- پکیج: TO‑220 (فلزی با قابلیت نصب هیتسینک)
- ولتاژ کلکتور–امیتر (Vceo): حدود 400 تا 700 ولت (بسته به نسخه؛ معمولاً 400V در نوع 13005 و تا 700V در 13007)
- جریان کلکتور (Ic): حدود 4 تا 5 آمپر
- توان تلفاتی (Ptot): حدود 40 تا 75 وات با هیتسینک مناسب
- گِین تقویت جریان (hFE): بین 8 تا 60 (در جریانهای مختلف)
- فرکانس کاری (fT): حدود 4 تا 8 مگاهرتز
- ولتاژ اشباع (Vce(sat)): معمولاً بین 0.5 تا 1 ولت در جریانهای بالا
- دمای کاری: **−55°C تا +150°C**
کاربردها:
- بالاستهای الکترونیکی لامپ کممصرف CFL و LED درایورهای اولیه
- منابع تغذیه سوئیچینگ SMPS بخش اولیه (Primary Stage)
- مبدلهای DC‑DC و AC‑DC فرکانس بالا
- مدارهای اینورتر کوچک و درایورهای ولتاژ بالا
- شارژرهای سوئیچینگ ساده و پاوربانکهای قدیمی
- پروژکتورهای LED و درایورهای سوئیچینگ HV
ویژگیهای برجسته:
- تحمل ولتاژ بسیار بالا (تا چند صد ولت)
- مناسب برای کار در بخش اولیه SMPS که نیاز به تحمل ولتاژ خام شبکه دارد
- توان تلفاتی مناسب و امکان دفع حرارت با هیتسینک
- فرکانس سوئیچ مناسب برای کاربردهای 20–60 کیلوهرتز (مثلاً بالاستها)
- در دسترس بودن نسخههای اورجینال از برندهای معتبر مثل ON Semiconductor، ST، Fairchild، UTC
نکات طراحی و استفاده:
- در مدارهای سوئیچینگ اولیه حتماً باید هیتسینک مناسب نصب شود؛ این ترانزیستور تحت فشار ولتاژ و جریان شدید کار میکند.
- برای راهاندازی ترانزیستور باید مقاومت بیس مناسب (معمولاً 10Ω تا 47Ω) جهت محدودسازی جریان بیس استفاده شود.
- در SMPS، کنترل جریان بیس توسط آیسیهایی مثل UC3842 انجام میشود؛ بنابراین انتخاب مقدار مقاومت بیس بسیار مهم است.
- از آنجایی که BJT است، جریان بیس قابلتوجهی نیاز دارد؛ بنابراین برای راندمان بالا بهتر است درایور بیس با امکان جریاندهی کافی استفاده شود.
- در مدارهای القایی باید از دیود اسنابر یا RC Snubber برای محافظت در برابر پالسهای ولتاژ استفاده شود.
- به دلیل وجود تقلبی زیاد در بازار، انتخاب نسخه ORG (اصل) از برند معتبر توصیه میشود چون در بالاستها فشار زیادی به ترانزیستور وارد میشود.
هنوز نظری ثبت نشده
اولین نفری باشید که نظر میدهید
ثبت نظر