IRFZ44NPBF org
ترانزیستور IRFZ44 / IRFZ44N (N‑Channel Power MOSFET)
مشخصات فنی کلیدی:
- نوع ترانزیستور: MOSFET کانال N
- پکیج: TO‑220 (فلزی با صفحه خنککن، مناسب برای نصب هیتسینک)
- ولتاژ بیشینه بین درین و سورس (Vds): 55 V
- جریان بیشینه درین (Id): 49 A
- ولتاژ گِیت–سورس مجاز (Vgs): ±20 V
- مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): حدود 0.022 Ω در Vgs=10 V
- توان تلفاتی: تا 94 W با نصب روی هیتسینک
- نوع عملکرد: سوئیچ سریع با مقاومت هد پایین (Low Rds‑on)
- دمای کاری: −55 °C تا +175 °C
کاربردها:
- پنلهای درایور موتور DC و ESC
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
- ماژولهای کنترل بار با رله الکترونیکی
- مدارهای PWM و کنترل توان LED
- پروژههای آردوینو و میکروکنترلری برای بارهای بزرگ
- تقویت توان در مدارهای صوتی و الکترونیکی صنعتی
ویژگیهای برجسته:
- قابلیت عبور جریان بالا تا حدود 50 آمپر
- افت ولتاژ بسیار کم در وضعیت روشن
- زمان سوئیچ بسیار سریع (چند ده نانوثانیه)
- قابل کنترل با سیگنال منطقی سطح TTL از طریق آیسیهای درایور
- وجود برندهای معتبر تولیدکننده مانند IR، Vishay، ST، NXP، Infineon
نکات طراحی و استفاده:
- برای مدیریت حرارت باید از هیتسینک مناسب استفاده شود.
- گِیت را به مقاومتی بین 10 Ω تا 100 Ω متصل کنید تا جلوی نوسان و تخلیه سریع بار گرفته شود.
- در مدارهای میکروکنترلری، گیت نیاز به درایور سطح منطقی یا ماسفتدرایور مجزا دارد تا سوئیچ کامل انجام شود.
- دیود داخلی بین درین و سورس از مدار در برابر ولتاژ برگشتی محافظت میکند، با این حال در مدارهای القایی (مثل موتور) استفاده از دیود خارجی لازم است.
- نظرات







هنوز نظری ثبت نشده
اولین نفری باشید که نظر میدهید
ثبت نظر