SSP20N60C3 org
۱۸۳,۹۳۹ تومان۱۶۵,۵۴۵ تومان
این قطعه به دلیل مشخصات ولتاژ و جریان بالا، معمولاً در بخشهای سوئیچینگ با راندمان بالا استفاده میشود.
توضیحات محصول: ماسفت قدرت SSP20N60C3 (600V / 20A)
SSP20N60C3 یک ترانزیستور اثر میدانی نیمههادی اکسید فلزی (MOSFET) با ولتاژ شکست بالا و مقاومت در حالت هدایت بسیار کم است. این قطعه عمدتاً در توپولوژیهای Power Factor Correction (PFC) و مبدلهای سوئیچینگ با راندمان بالا (مانند مبدلهای توان اصلی یا مبدلهای DC-DC میانی) به کار میرود.
کد SSP معمولاً نشاندهندهی سری محصولات با تکنولوژی Super Junction است که باعث کاهش مقاومت داخلی (RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)) در ولتاژهای بالا شده و راندمان را به شکل چشمگیری افزایش میدهد.
ویژگیهای کلیدی
- تکنولوژی Super Junction: مقاومت در حالت روشن بسیار پایین (RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)).
- ولتاژ بالا: تحمل ولتاژ درین به سورس (VDSSV_{DSS}VDSS) تا 600 ولت.
- جریان بالا: تحمل جریان درین پیوسته (تحت شرایط مشخص) تا 20 آمپر.
- زمان سوئیچینگ سریع: به دلیل ساختار MOSFET، مناسب برای فرکانسهای سوئیچینگ بالا.
- نویز و تلفات هدایتی بهینه شده.
مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| مدل قطعه | SSP20N60C3 |
| نوع قطعه | N‑Channel Power MOSFET |
| ولتاژ درین-سورس (VDSSV_{DSS}VDSS) | 600 V |
| جریان درین پیوسته (IDI_{D}ID) | 20 A (در دمای کیس استاندارد) |
| مقاومت در حالت روشن (RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)) | معمولاً حدود 220 mΩ (در VGS=10 VV_{GS}=10 VVGS=10 V) |
| ولتاژ گیت-سورس (VGSSV_{GSS}VGSS) | ±30 V\pm 30 V±30 V |
| حداکثر توان تلف شده (PDP_DPD) | حدود 70 W |
| زمان صعود/سقوط (Tr/Tf) | سریع (بستگی به مدار درایور گیت دارد) |
| بستهبندی | TO‑247 |
کاربردها
- مدارات تصحیح ضریب توان (Active PFC Stages).
- مبدلهای DC/DC رزونانسی و نیمهپل (Half-Bridge).
- منابع تغذیه با راندمان بالا (مانند تجهیزات سرور یا مخابراتی).
- درایورهای الکتروموتورهای صنعتی.
- مبدلهای پرقدرت AC به DC.
افزودن به سبد خرید
- نظرات
هنوز نظری ثبت نشده
اولین نفری باشید که نظر میدهید
ثبت نظر