IRF840PBF org
۱۴۵,۶۲۱ تومان۱۴۱,۲۵۲ تومان
توضیحات محصول: ماسفت قدرت کانال N IRF840PBF (بسته TO-220)
IRF840PBF یک ترانزیستور اثر میدان نیمههادی اکسید فلزی (MOSFET) از نوع N-Channel است که برای کاربردهای قدرت و سوئیچینگ طراحی شده است. این قطعه به خاطر مقاومت پایین در حالت روشن و قابلیت تحمل ولتاژ و جریان بالای خود، در مدارهای با توان بالا بسیار مناسب است.
ویژگی کلیدی: قابلیت تحمل جریان درین (Drain) تا 30 آمپر و ولتاژ درین-سورس (VDS\text{V}_{\text{DS}}VDS) تا 500 ولت، همراه با مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>) پایین.
عملکرد و قابلیتها:
- سوئیچینگ سریع: زمانهای صعود و نزول کوتاه به این معناست که این قطعه میتواند در فرکانسهای بالا به راحتی عمل کند، به ویژه در منابع تغذیه سوئیچینگ و مبدلها.
- مدیریت حرارت عالی: بستهبندی TO-220 اجازه میدهد تا این ترانزیستور به راحتی به هیتسینک متصل شده و دما را به طور مؤثری کنترل کند.
- ولتاژ گیت-سورس پایین: ولتاژ گیت-سورس لازم برای هدایت کامل، معمولاً در محدوده 10 ولت است، که استفاده از آن را با مدارهای منطقی و میکروکنترلرها راحت میکند.
- Pb-Free: طراحی مطابق با استانداردهای زیستمحیطی.
کاربردها:
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS).
- تقویتکنندههای توان و کلیدهای موتور.
- مدارهای محافظ و دشارژ باتری.
مشخصات فنی خلاصه:
- نوع قطعه: ماسفت قدرت کانال N
- ولتاژ درین-سورس (VDS\text{V}_{\text{DS}}VDS): 500 ولت
- جریان درین پیوسته (ID\text{I}_{\text{D}}ID): 30 آمپر
- مقاومت در حالت روشن (RDS(on)\text{R}_{\text{DS(on)}}RDS(on)): معمولاً تا 0.33 Ω\OmegaΩ در VGS=10V\text{V}_{\text{GS}}=10\text{V}VGS=10V
- ولتاژ گیت-سورس: ±20V\pm 20\text{V}±20V
- بستهبندی: TO-220
افزودن به سبد خرید
- نظرات
هنوز نظری ثبت نشده
اولین نفری باشید که نظر میدهید
ثبت نظر